1月16日，市科技局党组成员、副局长吕家亮带队赴天桥区新材料产业园山东国镓晶谷半导体科技有限公司进行调研，山东国镓晶谷半导体科技有限公司董事长翟世兰陪同调研。

      调研组一行现场观看了国镓晶谷的宣传片，并围绕第四代超宽禁带半导体材料氧化镓材料特性、市场前景、应用领域等多方面展开交流。吕家亮对国镓晶谷半导体科技有限公司的工作表达了充分肯定，他表示，我们要牢记总书记嘱托，关键核心技术是要不来、买不来、讨不来的。只有把核心技术牢牢掌握在自己手中，才能从根本上保障国家经济安全、国防安全和其他安全。

 山东国镓晶谷半导体科技有限公司位于济南市天桥区济南新材料产业园区，占地6000平方米，主要生产2英寸—4英寸—6英寸氧化镓单晶衬底材料。设有综合办公区、科研实验区、原料处理车间、晶体生长车间、加工车间、检验检测室、半导体器件加工车间、设备间，洁净车间等区域。

      山东国镓晶谷半导体科技有限公司属新材料领域企业，拥有第四代超宽禁带半导体氧化镓晶体材料制备专利技术,专业研发团队和设备制造达到国际先进水平。山东国镓晶谷采取自主研发，先后与山东大学晶体材料国家重点实验室、中科院等共同研发合作了多项国家重点课题项目，目前拥有世界领先的发明专利几十项，尤其对第四代超宽禁带半导体氧化镓成果显著，为今后的发展打下了坚实的基础。已成功研制出第四代宽禁带半导体的制备工艺与生产设备，成功生产出氧化镓晶体，通过晶体生长技术优化，已成功获得无开裂、无孪晶的宽度2—4—6英寸、长度3—5英寸的高质量β-Ga2O3晶体及其元素掺杂晶体。晶体完整均匀、透明度好、无开裂、气泡、包裹物等宏观缺陷，目前处于国际国内领先地位。

      市科技局总工程师，产业发展处、资源配置与管理处相关人员及天桥区科技局主要负责同志参加活动。